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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, Beiju;  Wang, Wei;  Dong, Zan;  Zhang, Zanyun;  Guo, Weilian;  Chen, Hongda;  Huang, B.(bjhuang@semi.ac.cn)
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1283/583  |  提交时间：2012/06/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhang S (Zhang Shuang);  Liu WB (Liu Wen-Bao);  Hao XP (Hao Xiao-Peng);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Wang H (Wang Hui);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Yang H (Yang Hui);  Wei L (Wei Long);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XK;  Li QS;  Liang DC;  Xu YD;  Xie XJ;  Li XK Qufu Normal Univ Coll Phys & Engn Qufu 273165 Peoples R China. E-mail Address: phylxk@163.com
Adobe PDF(1347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：951/281  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  So CK;  Zhu CY;  Gu QL;  Li CJ;  Fung S;  Brauer G;  Anwand W;  Skorupa W;  Ling CC;  Lu, LW, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
Adobe PDF(516Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1185/365  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, HQ;  Kasai, S;  Hashizume, T;  Wu, NJ;  Zhao, HQ, Hokkaido Univ, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan. 电子邮箱地址: zhao@rciqe.hokudai.ac.jp
Adobe PDF(968Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1016/218  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, YL;  Zhang, LW;  Xie, GL;  Zhu, JL;  Chen, YH;  Zhang, LW, Tsing Hua Univ, Dept Phys, Adv Mat Lab, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwzhang@tsinghua.edu.cn
Adobe PDF(217Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1109/384  |  提交时间：2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R 会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wang, XH;  Wan, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Way, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1860/523  |  提交时间：2010/03/09
Hydrogen Sensor  Algan/gan Heterostructure  Schottky Diode  
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang YC;  Liu ZL;  Wang SR;  Shang YC,Chinese Acad Sci,Microelect R&D Ctr,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：740/273  |  提交时间：2010/08/12
Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sic  Schottky  Pn Junction Diodes  Mos Capacitor  Junction Diodes