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InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李慧梅
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Ingaas/inp Apd  Ingaas/inalas Apd  增益  暗电流  击穿电压  扩散zn掺杂  
A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics 会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:  Wang, LS;  Zhao, LJ;  Pan, JQ;  Zhang, W;  Wang, H;  Liang, S;  Zhu, HL;  Wang, W;  Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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P-i-n/hbt  Wave-guide  Inp/ingaas  Frequency  Hbt  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Wang XD;  Xu B;  Wang ZG;  Qu SC;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG;  Sun S,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Wu J;  Chen YH;  Liu FQ;  Ding D;  Li YF;  Xu B;  Wang ZG;  Sun ZZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Liu FQ;  Xu B;  Ye XL;  Ding D;  Sun ZZ;  Jiang WH;  Liu HY;  Zhang YC;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Ye XL;  Liu FQ;  Xu B;  Ding D;  Jiang WH;  Sun ZZ;  Liu HY;  Zhang YC;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Liu FQ;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Sun ZZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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