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Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yan, JC;  Wang, JX;  Liu, NX;  Liu, Z;  Li, JM;  Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan  Gan Template  A1n Interlayer  Mocvd  Crack  Interference Fringes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z;  Wang JX;  Wang XL;  Hu GX;  Guo LC;  Liu HX;  Li JP;  Li JM;  Zeng YP;  Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxwang@red.semi.ac.cn
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