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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
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期刊论文
作者:
Cen LX
;
Li XQ
;
Yan YJ
;
Zheng HZ
;
Wang SJ
;
Cen LX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan LX
;
Li SS
;
Liu JL
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Zheng HZ
;
Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li XQ
;
Hu CY
;
Cen LX
;
Zheng HZ
;
Yan YJ
;
Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Cubic Gan
Hexagonal Phase Content
4-circle X-ray Double Crystal Diffraction
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Thin-films
Silicon
Gaas
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun XL
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Li JB
;
Wang ZG
;
Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Zhao DG
;
Li SF
;
Wang ZG
;
Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu D
;
Yang H
;
Zhang SM
;
Zheng LX
;
Zhao DG
;
Li SF
;
Wang YT
;
Wu RH
;
Xu D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li JB
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang YT
;
Li JB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12