|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽
 Adobe PDF(2006Kb) |  收藏 | 浏览/下载：541/20 | 提交时间：2016/04/15 |
| Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者: Wang X; Chen M; Chen J; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL; Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
Adobe PDF(1181Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1380/242 | 提交时间：2010/11/15
Soi Nanostructure Microelectronic Materials |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang X; Chen M; Chen J; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL; Chen J,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol,Ion Beam Lab,865 Changning Rd,Shanghai 200050,Peoples R China.
Adobe PDF(2432Kb) | 收藏 | 浏览/下载：629/126 | 提交时间：2010/08/12 |
| 一种用于单频激光器的激光腔型 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242355.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 赵伟芳; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 李港; 熊波; 董智勇 ; 刘燕楠; 鄢歆
Adobe PDF(325Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1815/278 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(683Kb) | 收藏 | 浏览/下载：741/5 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(571Kb) | 收藏 | 浏览/下载：714/5 | 提交时间：2016/08/30 |
