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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1702/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1557/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊朋; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1216/192  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊朋; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1226/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1297/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国 Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氧化锌-维纳米材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭文琴; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(254Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1419/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Cheng BC (Cheng Baochang); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou HY (Zhou Huiying); Wang ZG (Wang Zhanguo); Cheng, BC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bcheng@vip.sina.com Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/351  |  提交时间:2010/04/11 |
| 半导体纳米晶的化学制备和结构、物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001 作者: 曲胜春 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/25  |  提交时间:2009/04/13 |