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一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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Growth mechanism of InGaAlAs waveguides by narrow stripe selective MOVPE 会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:  Feng W;  Pan WWJQ;  Zhu HL;  Zhao LJ;  Zhou F;  Wang LF;  Wang BJ;  Bian J;  An X;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Vapor-phase Epitaxy  
Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I 会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Zhou F;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inp  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵谦;  潘教青;  张靖;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  安欣;  赵玲娟;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵谦;  潘教青;  张靖;  李宝霞;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  赵玲娟;  王圩
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1271/296  |  提交时间：2010/11/23