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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科... [15]
作者
张兴旺 [4]
游经碧 [2]
谭海仁 [1]
张曙光 [1]
尹志岗 [1]
文献类型
专利 [7]
期刊论文 [7]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Dong JJ, Zhang XW, Zhang SG, Tan HR, Yin ZG, Gao Y, Wang JX.
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浏览/下载:331/67
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提交时间:2014/03/17
有序ZnO 纳米结构阵列的制备及其应用
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
董敬敬
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浏览/下载:1086/63
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提交时间:2012/06/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, JJ
;
Zhang, XW
;
Yin, ZG
;
Wang, JX
;
Zhang, SG
;
Si, FT
;
Gao, HL
;
Liu, X
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浏览/下载:866/305
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG (Zhang, S. G.)
;
Zhang XW (Zhang, X. W.)
;
Si FT (Si, F. T.)
;
Dong JJ (Dong, J. J.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Liu X (Liu, X.)
;
Yin ZG (Yin, Z. G.)
;
Gao HL (Gao, H. L.)
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浏览/下载:945/355
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提交时间:2013/03/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Wang JX
;
Dong JJ
;
Wang ZG
;
Qu S
;
Cui B
;
Wowchak AM
;
Dabiran AM
;
Chow PP
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1379/380
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong JJ (Dong J. J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Gao Y (Gao Y.)
;
Si FT (Si F. T.)
;
Gao HL (Gao H. L.)
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浏览/下载:1212/434
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提交时间:2012/02/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Dong JJ (Dong J. J.)
;
Gao HL (Gao H. L.)
;
Si FT (Si F. T.)
;
Sun SS (Sun S. S.)
;
Tao Y (Tao Y.)
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浏览/下载:1373/597
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提交时间:2012/02/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong JJ (Dong J. J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
You JB (You J. B.)
;
Cai PF (Cai P. F.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
An Q (An Q.)
;
Ma XB (Ma X. B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1463/443
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提交时间:2010/07/05
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张曙光
;
张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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浏览/下载:1251/201
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提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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浏览/下载:1197/183
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提交时间:2012/09/09