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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li J (Li Jun)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1348/432
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding K (Ding, K.)
;
Zeng YP (Zeng, Y. P.)
;
Wei XC (Wei, X. C.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Lu HX (Lu, H. X.)
;
Cong PP (Cong, P. P.)
;
Yi XY (Yi, X. Y.)
;
Wang GH (Wang, G. H.)
;
Li JM (Li, J. M.)
;
Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1401/502
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
梁继然
;
胡明
;
王晓东
;
李贵柯
;
季安
;
杨富华
;
刘剑
;
吴南健
;
陈弘达
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提交时间:2010/11/23
红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐云
;
陈良惠
;
张玉芳
;
宋国峰
;
李玉璋
;
种明
;
郑婉华
;
曹青
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浏览/下载:1572/220
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提交时间:2009/06/11
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
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浏览/下载:1531/234
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基蓝光激光器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李慧
;
种明
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张艳
;
陈伟
;
任民
;
鞠昱
;
韩威
;
张邦宏
;
张雅丽
;
谢亮
;
祝宁华
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浏览/下载:1336/450
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
韩威
;
张雅丽
;
张艳
;
任民
;
李亮
;
张红广
;
谢亮
;
祝宁华
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浏览/下载:1210/369
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li RY (Li R. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Guo X (Guo X.)
;
Chen M (Chen M.)
;
Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ryli@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1470/197
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide