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一种近红外单光子探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  曹延名;  吴 孟;  杨富华
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InP 基雪崩光电二极管的单光子探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  曹延名
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹延名;  吴孟;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Ma XY;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangjun@semi.ac.cn
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1022/371  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Bai YM (Bai Yi-Ming);  Cao L (Cao Li);  Wu DJ (Wu Da-Jin);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
Adobe PDF(139Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:840/281  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Ma XY;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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水平法低位错GaAs的单晶 成果
1986
主要完成人:  褚一鸣;  何宏家;  周伯骏;  曹福年;  白玉珂
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Gaas