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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [4]
作者
张书明 [2]
赵德刚 [2]
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发表日期
2010 [2]
2009 [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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氮化镓基多波段探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
刘文宝
;
孙 苋
;
赵德刚
;
刘宗顺
;
张书明
;
朱建军
;
杨 辉
Adobe PDF(603Kb)
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提交时间:2010/08/12
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
刘文宝
;
孙 苋
;
赵德刚
;
刘宗顺
;
张书明
;
朱建军
;
杨 辉
Adobe PDF(597Kb)
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浏览/下载:1873/271
  |  
提交时间:2010/08/12
In(Ga)N/GaN异质外延纳米结构的生长以及表征
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
孙苋
Adobe PDF(5487Kb)
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浏览/下载:953/37
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu WB (Liu Wenbao)
;
Sun X (Sun Xian)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wbliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29