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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2000 [1]
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/17
Tight-banding Approach for Phonic Crystal Coupled-cavity-mode Estimation
会议论文
2009 14TH OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC 2009): 72-73 2009, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JUL 13-17, 2009
作者:
Sun H (Sun Hui)
;
Jiang B (Jiang Bin)
;
Chen W (Chen Wei)
;
Zhou WJ (Zhou Wenjun)
;
Xing MX (Xing Minxin)
;
Liu AJ (Liu Anjin)
;
Zheng WH (Zheng Wanhua)
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提交时间:2011/07/14
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhou W
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Liu FQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Zhu ZZ
;
Li GH
;
Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bimodal Distribution
Photoluminescence (Pl)
Quantum-size Effect
Ge
Ensembles
Si(100)
Growth
Shape
1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Chen B
;
Wang W
;
Wang XJ
;
Zhang JY
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Chen B Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
1.3 Mu m
Complex-coupled Grating
Dfb Laser