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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [2]
半导体超晶格国家重点... [1]
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作者
董智勇 [1]
文献类型
专利 [64]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
语种
中文 [16]
出处
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SEMI OpenIR
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自动搅拌滴料桶
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
王大拯
;
王俊
;
吕卉
;
李伟
;
刘秀英
;
张海艳
;
赖剑雷
;
刘素平
;
马骁宇
Adobe PDF(274Kb)
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浏览/下载:1247/184
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提交时间:2009/06/11
一种双色量子阱红外探测器面阵的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
苏艳梅
;
种明
;
赵伟
Adobe PDF(397Kb)
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浏览/下载:1148/175
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提交时间:2009/06/11
水汽探测用激光芯片的制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(372Kb)
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浏览/下载:1527/184
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提交时间:2012/09/09
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
邵永波
;
赵玲娟
;
于红艳
;
潘教青
;
王宝军
;
王圩
Adobe PDF(478Kb)
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浏览/下载:1402/219
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提交时间:2012/09/09
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(431Kb)
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浏览/下载:1246/207
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提交时间:2012/09/09
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(308Kb)
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浏览/下载:1329/183
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提交时间:2012/09/09
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(281Kb)
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浏览/下载:1217/163
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提交时间:2012/09/09
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(311Kb)
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浏览/下载:1209/183
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提交时间:2012/09/09
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
杨富华
Adobe PDF(344Kb)
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浏览/下载:1872/383
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提交时间:2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:
颜伟
;
杜彦东
;
韩伟华
;
杨富华
Adobe PDF(370Kb)
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浏览/下载:1448/336
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提交时间:2012/09/07