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| 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1281/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(751Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1104/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1701/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 量子级联探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010191861.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孔宁; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/282  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种利用半导体照明进行通信的系统及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081993.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 陈弘达; 朱琳; 陈雄斌; 裴为华; 刘博; 杨宇; 董赞; 关宁 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1367/225  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种大功率光纤泵浦合束器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 杨盈莹; 林学春; 赵亚平; 汪楠; 王丽荣; 刘燕楠 收藏  |  浏览/下载:697/0  |  提交时间:2016/09/22 |
| 一种半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 姚南; 赵懿昊; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:603/4  |  提交时间:2016/09/12 |
| 高出光率倒装结构LED的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13 发明人: 刘娜; 谢海忠; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(433Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:863/100  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:872/84  |  提交时间:2014/12/25 |