中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人:  李盼盼;  李鸿渐;  张逸韵;  李志聪;  梁萌;  李璟;  王国宏
Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：708/75  |  提交时间：2014/10/29