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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
祝梦遥
;
鲁军
;
马佳淋
;
李利霞
;
王海龙
;
潘东
;
赵建华
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提交时间:2016/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈海峰
;
曹宇
;
李祥友
;
蔡志祥
;
王小宝
;
王少飞
;
李金洪
;
曾晓雁
;
陈弘达
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浏览/下载:1092/188
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang W
;
Ji Y
;
Luo HH
;
Ruan XZ
;
Wang WZ
;
Zhao JH
;
Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:947/282
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提交时间:2010/04/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨威
;
姬扬
;
罗海辉
;
阮学忠
;
王玮竹
;
赵建华
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浏览/下载:1037/336
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou, R
;
Sun, BQ
;
Ruan, XZ
;
Gan, HD
;
Ji, Y
;
Wang, WZ
;
Zhao, JH
;
Sun, BQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, XD
;
Wang, WZ
;
Gao, RX
;
Zhao, JH
;
Wen, JH
;
Lin, WZ
;
Lai, TS
;
Lai, TS, Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: stslts@mail.sysu.edu.cn
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浏览/下载:854/236
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘晓东
;
王玮竹
;
高瑞鑫
;
赵建华
;
文锦辉
;
林位株
;
赖天树
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周蓉
;
孙宝权
;
阮学忠
;
甘华东
;
姬扬
;
王玮竹
;
赵建华
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浏览/下载:1187/372
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提交时间:2010/11/23
半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王启元
;
王俊
;
王建华
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jia, GZ
;
Yao, JH
;
Zhang, CL
;
Shu, Q
;
Liu, RB
;
Ye, XL
;
Wang, ZG
;
Yao, JH, Nankai Univ, TEDA Appl Phys Sch, Key Lab Photon Mat & Technol Informat Sci, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300475, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaojh@nankai.edu.cn
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提交时间:2010/03/08