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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张保平;  蔡丽娥;  张江勇;  李水清;  尚景智;  王笃祥;  林峰;  林科闯;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈敦军;  毕朝霞;  沈波;  张开骁;  顾书林;  张荣;  施毅;  胡立群;  郑有(火+斗);  孙学浩;  万寿科;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭长涛;  陈诺夫;  林兰英;  柯俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  樊志军;  刘祥林;  万寿科;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  俞建华;  孙承休;  刘柯林;  高中林;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许燕;  林兆军;  陈伟;  白元强;  方克明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林兆军;  王占国;  许燕;  陈伟;  李国华;  方克明;  林兰英
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ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究 成果
1996
主要完成人:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
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Si-gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐波;  王占国;  万寿科;  孙虹;  张辉;  杨锡权;  林兰英;  Koutzarov I P
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