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集成Ge2Sb2Te5相变栅的无结硅纳米线晶体管研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  葛延栋
Adobe PDF(16561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:296/0  |  提交时间:2023/07/03
硅纳米线晶体管量子输运特性及其传感器应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭仰岩
Adobe PDF(7696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:305/2  |  提交时间:2022/07/26
硅纳米线晶体管量子输运特性及其传感器应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭仰岩
Adobe PDF(7696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:346/0  |  提交时间:2022/07/25
MEMS陀螺仪接口和控制电路研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  苏言
Adobe PDF(6184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:514/5  |  提交时间:2020/08/31
纳米陷光结构硅太阳能电池的设计及其关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  陈燕坤
Adobe PDF(7279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1169/30  |  提交时间:2013/06/24
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3233/1392  |  提交时间:2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1693/477  |  提交时间:2010/06/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1763/383  |  提交时间:2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1349/336  |  提交时间:2012/09/07