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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
叶小玲 [2]
李成明 [1]
文献类型
专利 [6]
发表日期
2007 [2]
2006 [3]
1988 [1]
语种
中文 [6]
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SEMI OpenIR
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共6条,第1-6条
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语种:中文
文献类型:专利
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
Adobe PDF(1107Kb)
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浏览/下载:1402/193
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提交时间:2009/06/11
砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李凯
;
叶小玲
;
王占国
Adobe PDF(392Kb)
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浏览/下载:1354/161
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提交时间:2009/06/11
半导体可饱和吸收镜及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠鸾
;
王勇刚
;
林涛
;
王俊
;
郑凯
;
冯小明
;
仲莉
;
马杰慧
;
马骁宇
Adobe PDF(548Kb)
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收藏
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浏览/下载:1218/178
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提交时间:2009/06/11
利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李凯
;
叶小玲
;
王占国
Adobe PDF(339Kb)
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浏览/下载:1231/170
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提交时间:2009/06/11
单相钆硅化合物以及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
杨少延
;
刘志凯
Adobe PDF(391Kb)
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浏览/下载:1132/151
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提交时间:2009/06/11
变温霍尔实验仪
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
于耀川
;
徐寿定
;
范东华
;
胡长有
;
周仁楷
;
李瑞云
;
李平江
Adobe PDF(126Kb)
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浏览/下载:1293/145
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提交时间:2009/06/11