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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期:  
发明人:  姜丽娟
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半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  石丽洁
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  姜丽娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄振;  于斌;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
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