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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Zuo YH;  Tu XG;  Cai DJ;  Li SP;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY;  Tan, HM;  Wang, YG;  Ma, XY;  Miao, JG;  Wang, BS;  Qian, LS;  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng JY (Peng Ji-Ying);  Wang BS (Wang Bao-Shan);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Miao JG (Miao Jie-Guang);  Tan HM (Tan Hui-Ming);  Qian LS (Qian Long-Sheng);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Peng, JY, Chinese Acad Sci, Changchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130332, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY;  Cai LE;  Zhang BP;  Li SQ;  Lin F;  Shang JZ;  Wang DX;  Lin KC;  Yu JZ;  Wang QM;  Zhang, JY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn;  qmwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang JZ;  Zhang BP;  Wu CM;  Cai LE;  Zhang JY;  Yu JZ;  Wang QM;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, 422 SiMing Rd S, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
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