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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [14]
作者
刘兴昉 [5]
何俊 [3]
徐波 [1]
陈涌海 [1]
文献类型
专利 [8]
期刊论文 [6]
发表日期
2008 [14]
语种
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出处
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发表日期:2008
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(365Kb)
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浏览/下载:1590/230
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)
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收藏
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浏览/下载:1403/186
  |  
提交时间:2009/06/11
一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(765Kb)
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浏览/下载:1342/191
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提交时间:2009/06/11
一种硅基电光材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(475Kb)
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浏览/下载:1233/174
  |  
提交时间:2009/06/11
自动搅拌滴料桶
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
王大拯
;
王俊
;
吕卉
;
李伟
;
刘秀英
;
张海艳
;
赖剑雷
;
刘素平
;
马骁宇
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浏览/下载:1247/184
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
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浏览/下载:1492/218
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1332/167
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1190/158
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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浏览/下载:1179/260
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shihua, L
;
Jie, L
;
Guanggang, W
;
Lei, L
;
Shushan, L
;
Min, L
;
Yonggang, W
;
Lianjie, Q
;
Shihua, L, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. 电子邮箱地址: jieliu@sdnu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08