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绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  贾亮;  刘育梁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, L;  Motohisa, J;  Tomioka, K;  Takeda, J;  Fukui, T;  Geng, MM;  Jia, LX;  Zhang, L;  Liu, YL;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Optoelect Syst, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Geng, MM;  Jia, LX;  Zhang, L;  Liu, YL;  Yang, L;  Li, F;  Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Optoelect Syst, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: eric@semi.ac.cn
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Polarization-Independent Micro-Ring Resonator on Silicon-on-Insulator 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Geng, MM;  Jia, LX;  Zhang, L;  Yang, L;  Liu, YL;  Li, F;  Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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