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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
成步文 [2]
薛春来 [1]
左玉华 [1]
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2008 [12]
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发表日期:2008
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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硅基稀土掺杂电致发光器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1230/174
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提交时间:2009/06/11
制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
丁武昌
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1302/189
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提交时间:2009/06/11
硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1293/184
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提交时间:2009/06/11
声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
Adobe PDF(953Kb)
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浏览/下载:1402/179
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提交时间:2009/06/11
稀土复合离子注入发光材料制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1359/204
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提交时间:2009/06/11
硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张建国
;
王晓欣
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1179/146
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提交时间:2009/06/11
半导体应变弛豫材料的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
成步文
;
姚飞
;
薛春来
;
张建国
;
左玉华
;
王启明
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提交时间:2009/06/11
Wavelength tunable distributed Bragg reflector laser integrated with electro-absorption modulator by a combined method of selective area growth and quantum well intermixing - art. no. 68240N
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:
Zhao LJ
;
Zhang J
;
Wang L
;
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Liu HB
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Bian J
;
Wang BJ
;
Zhu NH
;
Wei W
;
Zhao, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2385/579
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提交时间:2010/03/09
Tunable Lasers
An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser
会议论文
AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, OCT 17-19, 2007
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Cheng YB
;
Chen D
;
Zhang W
;
Wang LS
;
Zhang YX
;
Sun Y
;
Wang W
;
Wang, H, CAS, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1390/276
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周志文
;
蔡志猛
;
张永
;
蔡坤煌
;
周笔
;
林桂江
;
汪建元
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
余金中
;
王启明
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提交时间:2010/11/23