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一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载：2277/0  |  提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
III-V-N 半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  王文杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许颖;  刁宏伟;  张世斌;  励旭东;  曾湘波;  王文静;  廖显伯
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