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半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  葛惟昆
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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:  Leung BH;  Fong WK;  Surya C;  Lu LW;  Ge WK;  Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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Gan  Low-frequency Noise  Deep Levels  Deep Level Transient Fourier Spectroscopy  Devices  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Leung, BH;  Fong, WK;  Surya, C;  Lu, LW;  Ge, WK;  Surya, C, Hong Kong Polytech Univ, Photon Res Ctr, Dept Elect & Informat Engn, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Yang CL;  Wang J;  Sou IK;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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