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应变和缺陷对低维半导体及钙钛矿材料的影响研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  Md. Rasidul Islam
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无权访问的条目 学位论文
作者:  李利安
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无权访问的条目 学位论文
作者:  储佳焰
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无权访问的条目 学位论文
作者:  赵方圆
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硅基InGaAs/InP量子阱材料生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  王梦琦
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InP基平衡探测器及相关集成器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  张莉萌
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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘广政
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Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiangting Kong;  Renrong Liang;  Xuliang Zhou;  Shiyan Li;  Mengqi Wang;  Honggang Liu;  Jing Wang;  Wei Wang;  Jiaoqing Pan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tuanwei Shi;  Xiaoye Wang;  Baojun Wang;  Wei Wang;  Xiaoguang Yang;  Wenyuan Yang;  Qing Chen;  Hongqi Xu;  Shengyong Xu;  Tao Yang
Adobe PDF(1407Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:264/4  |  提交时间:2016/03/23