SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
高响应率长波甚长波量子级联探测器 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  黎昆
Adobe PDF(13264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:569/5  |  提交时间:2023/07/03
GaN基增强型HEMT器件制备研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  牛迪
Adobe PDF(24206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:473/6  |  提交时间:2021/06/21
高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  温正欣
Adobe PDF(4436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1221/26  |  提交时间:2019/11/12
InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  魏林程
Adobe PDF(3095Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:840/44  |  提交时间:2018/06/14
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  闫俊达
Adobe PDF(5390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3255/67  |  提交时间:2017/06/05
氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李巍
Adobe PDF(3778Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1001/58  |  提交时间:2017/06/05
氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
Adobe PDF(13279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:803/21  |  提交时间:2018/06/14
GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  崔磊
Adobe PDF(7214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1262/109  |  提交时间:2015/06/05
GaN基HEMT电致退化研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  渠慎奇
Adobe PDF(2652Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1146/75  |  提交时间:2015/06/05
锑化物异质结构的材料生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  张雨溦
Adobe PDF(5041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1346/62  |  提交时间:2014/11/18