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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Yongmei;  Sun Guosheng;  Ning Jin;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Wang Lei;  Li Jinmin
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基于宽禁带半导体SiC 材料的紫外探测器及MEMS 微纳共振体 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  刘兴昉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  WANG Lei;  GONG Quancheng;  GAO Xin;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI JinminL
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