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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong, W;  Li, SS;  Xiong, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wenxiong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, JW;  Tang, H;  Wang, BS;  Su, ZB;  Jiang, JW, Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: jwjiang@itp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, AL;  Wei, HY;  Liu, XL;  Song, HP;  Fan, HB;  Zhang, PF;  Zheng, GL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J;  Wang, RZ;  Lan, W;  Zhang, XW;  Duan, ZQ;  Wang, B;  Yan, H;  Li, J, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100124, Peoples R China. 电子邮箱地址: wrz@bjut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, JW;  Tang, H;  Wang, BS;  Su, ZB;  Jiang, JW, Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: jwjiang@itp.ac.cn
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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hvpe  Gan  Nitridation  Polarity  Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, HB;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Wei, HY;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Zhu, QS;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Yang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sh-yyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Zhao, LB;  Zhang, GY;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Jia, QJ;  Guo, LP;  Hu, TD;  Wu, JJ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Res Ctr Wide Gap Semicond, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Ma, XY;  Zhong, L;  Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Laser Diodes  Laser Bar  Stacks  High Power  Power Conversion Efficiency  Reliability  Packaging  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi LJ;  Zhu LF;  Zhao YH;  Liu BG;  Shi LJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bgliu@mail.iphy.ac.cn
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