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Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Liang, LY;  Ye, XL;  Jin, P;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Induced Refractive-index  Growth  Lasers  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL;  Yang T;  Ji HM;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Cao YL Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  NIU Zhihong;  REN Zhengwei;  HE Zhenhong
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