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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tu XG;  Chen SW;  Zhao L;  Sun F;  Yu JZ;  Wang QM;  Tu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: tuxiaog@red.semi.ac.cn;  swchen@red.semi.ac.cn;  leizhao@red.semi.ac.cn;  sun@red.semi.ac.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn;  qmwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen HB;  Li ZF;  Wei L;  Yang FH;  Feng SL;  Zheng HH;  Chen, HB, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YY (Chen Yuan-Yuan);  Li YP (Li Yan-Ping);  Sun F (Sun Fei);  Yang D (Yang Di);  Chen SW (Chen Shao-Wu);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chyy@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang HX (Tang Hai-Xia);  Zuo YH (Zuo Yu-Hua);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Tang, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: thx@mail.scmi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM (An Junming);  Wu YD (Wu Yuanda);  Wang HJ (Wang Hongjie);  Li JG (Li Jianguang);  Xing B (Xing Bo);  Hu XW (Hu Xiongwei);  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. E-mail: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen HB (Chen Haibo);  Li ZF (Li Zhaofeng);  Chen JJ (Chen Jianjun);  Liu W (Liu Wei);  Yang FH (Yang Fuhua);  Feng SL (Feng Songlin);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Chen, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao L.);  Tu XG (Tu X. G.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Chen SW (Chen S. W.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Q (Chen Qin);  Yang YD (Yang Yue-De);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Chen, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhuang@red.semi.ac.cn
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