中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1223/171  |  提交时间：2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1274/176  |  提交时间：2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1210/193  |  提交时间：2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1079/158  |  提交时间：2009/06/11
具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1103/142  |  提交时间：2009/06/11
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1519/181  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Tu XG;  Li SP;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Yu YD;  Yu, JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1049/277  |  提交时间：2010/03/29
Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth 会议论文
Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-11, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Sun J;  Lei W;  Cui CX;  Yu LK;  Li K;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1606/327  |  提交时间：2010/03/29
Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：811/210  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, J;  Zhou, DY;  Li, RY;  Zhao, C;  Ye, XL;  Xu, B;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1093/268  |  提交时间：2010/03/08