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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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一种光瞬态自动测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  蒋波;  卢励吾;  张砚华
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使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
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具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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SHicon-based resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Cheng BW (Cheng Buwen);  Li CB (Li Chuanbo);  Mao RW (Mao Rongwei);  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zhang JG (Zhang Jianguo);  Shi WH (Shi Wenhua);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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High-speed  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu B;  Zheng HZ;  Peng J;  Li GR;  Li YH;  Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Jin P;  Ye XL;  Zhang CL;  Shi GX;  Li RY;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang, YL, Beijing Tongmei Xtal Technol Co Ltd, Dept Res & Dev, Beijing Tongzhou Ind Dev Zone, Beijing 101113, Peoples R China. E-mail: wangyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Cheng BW;  Zuo YH;  Morrison AP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Univ Coll Cork, Dept Elect & Elect Engn, Coll Rd, Cork, Ireland. E-mail: cbli1104@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi JF;  Zhao JH;  Deng JJ;  Zheng YH;  Li SS;  Wu XG;  Jia QJ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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