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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Gu CY (Gu Cheng-Yan); Liu GP (Liu Gui-Peng); Shi K (Shi Kai); Song YF (Song Ya-Feng); Li CM (Li Cheng-Ming); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:911/218  |  提交时间:2013/03/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘俊岐; 翟慎强; 孔宁; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国 Adobe PDF(814Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1525/482  |  提交时间:2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi K; Li DB; Song HP; Guo Y; Wang J; Xu XQ; Liu JM; Yang AL; Wei HY; Zhang B; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn; lidb@ciomp.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1912/418  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Song YF (Song Yafeng); Lu YW (Lu Yanwu); Zhang BA (Zhang Biao); Xu XQ (Xu Xiaoqing); Wang J (Wang Jun); Guo Y (Guo Yan); Shi K (Shi Kai); Li ZW (Li Zhiwei); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Song, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songyafeng@semi.ac.cn Adobe PDF(1272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1100/302  |  提交时间:2010/12/05 |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1700/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国 Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910083494.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 裴为华; 王宇; 郭凯; 归强; 王淑静; 朱琳; 陈弘达 Adobe PDF(381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1490/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 量子级联探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010191861.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孔宁; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1471/282  |  提交时间:2011/08/31 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1542/267  |  提交时间:2011/08/31 |