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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates
作者: Liang S;  Zhu HL;  Zhou JT;  Cheng YB;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W
出版日期: 2006
会议日期: OCT 16-18, 2006
摘要: Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is studied. An abnormal trend of the evolution on temperature is observed. With the increase of the growth temperature, while the density of the large dots decreases continually, that of the small dots first grows larger when temperature was below 520 degrees C, and then there is a sudden decrease at 535 degrees C. Photoluminescence (PL) studies show that QDs on vicinal substrates have a narrower PL line width, a longer emission wavelength and a larger PL intensity.
会议名称: International Symposium on Biophotonics, Nanophotonics and Metamaterials
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating
会议文集: Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Liang, S (Liang, S.); Zhu, HL (Zhu, H. L.); Zhou, JT (Zhou, J. T.); Cheng, YB (Cheng, Y. B.); Pan, JQ (Pan, J. Q.); Zhao, LJ (Zhao, L. J.); Wang, W (Wang, W.) .Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates .见:IEEE .Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2006,302-305
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