高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth
作者: Zhao C;  Chen YH;  Sun J;  Lei W;  Cui CX;  Yu LK;  Li K;  Wang ZG
出版日期: 2007
会议日期: JUN 09-11, 2005
摘要: Performing an event-based continuous kinetic Monte Carlo (KMC) simulation, We investigate the growth conditions which are important to form semiconductor quantum dot (QD) in molecular beam epitaxy (MBE) system. The simulation results provide a detailed characterization of the atomic kinetic effects. The KMC simulation is also used to explore the effects of periodic strain to the epitaxy growth of QD. The simulation results are in well qualitative agreement with experiments.
会议名称: China International Conference on Nanoscience and Technology (ChinaNANO 2005)
KOS主题词: Monte Carlo method
会议文集: Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2250.pdf3368KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhao, C (Zhao, C.); Chen, YH (Chen, Y. H.); Sun, J (Sun, J.); Lei, W (Lei, W.); Cui, CX (Cui, C. X.); Yu, LK (Yu, L. K.); Li, K (Li, K.); Wang, ZG (Wang, Z. G.) .Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth .见:TRANS TECH PUBLICATIONS LTD .Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA ,LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH, SWITZERLAND ,2007,Pts 1 and 2 121-123: 1073-1076 Part 1-2
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhao C]的文章
 [Chen YH]的文章
 [Sun J]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhao C]的文章
 [Chen YH]的文章
 [Sun J]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发