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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器
发明人: 陈弘达;  黄北举;  张 旭 
授权日期: 2009-6-24
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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陈弘达;黄北举;张 旭 ,一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器,CN200710179893,39435
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