一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法
魏同波
2009-09-02
专利权人中科院半导体研究所
公开日期4005
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-02-27
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810100953.X
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9080
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
魏同波. 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法[P]. 2009-09-02.
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