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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源
发明人: 郑婉华;  刘安金;  任 刚;  邢名欣;  渠宏伟;  陈良惠 
授权日期: 2009-8-5
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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郑婉华;刘安金;任 刚;邢名欣;渠宏伟;陈良惠 ,采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源,CN200810057178,39477
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