InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法
吴孟
2009-10-07
专利权人中科院半导体研究所
公开日期4009
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-04-02
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810103224
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9048
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴孟. InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法[P]. 2009-10-07.
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