SOI submicron rib waveguides: Design, Fabrication and Characterization

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	SOI submicron rib waveguides: Design, Fabrication and Characterization
	Xu XJ; Chen SW; Li ZY; Yu YD; Yu JZ; Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
	2008
会议名称	5th IEEE International Conference on Group IV Photonics
会议录名称	2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
页码	: 137-139
会议日期	SEP 17-19, 2008
会议地点	Sorrento, ITALY
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
ISBN	978-1-4244-1769-8
部门归属	[xu, xuejun; chen, shaowu; li, zhiyong; yu, yude; yu, jinzhong] chinese acad sci, inst semicond, state key lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china
摘要	We present detailed design, fabrication, and characterization issues of submicron rib waveguides based on silicon-on-insulator. The waveguides fabricated by EBL and ICP processes have propagation loss of 1.8dB/mm and bend loss of 0.14dB/90 degrees for bends with radius of 5 mu m.
学科领域	光电子学
主办者	IEEE.; Informat Soc Technol.; Helios.
收录类别	其他
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/8340
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
通讯作者	Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu XJ,Chen SW,Li ZY,et al. SOI submicron rib waveguides: Design, Fabrication and Characterization[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2008:: 137-139.

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