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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Growth behavior of AlInGaN films
作者: Shang JZ;  Zhang BP;  Mao MH;  Cai LE;  Zhang JY;  Fang ZL;  Liu BL;  Yu JZ;  Wang QM;  Kusakabe K;  Ohkawa K
出版日期: 2009
会议日期: MAY 21-24, 2008
摘要: The structural and surface properties of AlInGaN quaternary films grown at different temperatures on GaN templates by metalorganic chemical vapor deposition are investigated. Formation of two quaternary layers is confirmed and the difference between them is pronounced when the growth temperature is increased. The surface is featured with V-shaped pits and cracks, whose characteristics are further found to be strongly dependent on the growth temperature of AlInGaN layers. The two-layer structure is interpreted by taking into account of the strain status in AlInGaN layers. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
会议名称: 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
KOS主题词: Scanning electron microscopes;  Scanning electron microscopy
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Shang, JZ;Zhang, BP;Mao, MH;Cai, LE;Zhang, JY;Fang, ZL;Liu, BL;Yu, JZ;Wang, QM;Kusakabe, K;Ohkawa, K.Growth behavior of AlInGaN films .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,JAN 15 2009 ,311 (3): 474-477 JAN 15
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