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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser
作者: Wang H;  Zhu HL;  Cheng YB;  Chen D;  Zhang W;  Wang LS;  Zhang YX;  Sun Y;  Wang W
出版日期: 2008
会议日期: OCT 17-19, 2007
摘要: An improved selective area growth (SAG) method is proposed to better the fabrication and performance of the Electroabsorption modulated laser The typical threshold current of the EML is 18mA, and the output power is 5.6mW at EAM facet.
会议名称: Asia Optical Fiber Communication and Optoelectronic Exposition and Conference
会议文集: AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Wang, H;Zhu, HL;Cheng, YB;Chen, D;Zhang, W;Wang, LS;Zhang, YX;Sun, Y;Wang, W.An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser .见:AOE .AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE,DI WANG COMMERCIAL CENTRE, 6503, SHUN HING SQUARE, 65TH FLR, 5002 SHEN NAN RD E, SHENZHEN, GUANGDONG 518008, PEOPLES R CHINA ,2008,CONFERENCE PROCEEDINGS: 490-492
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