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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
作者: Zhao L;  Lu ZX;  Cheng CJ;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Sun BJ;  Qu B;  Zhang XF;  Sun WG
出版日期: 2009
会议日期: JUN 09-12, 2008
摘要: The correlation between the energy band-gap of AlxGa1-xN epitaxial thin films and lattice strain was investigated using both High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD) and Spectroscopic Ellipsometry (SE). The Al fraction, lattice relaxation, and elastic lattice strain were determined for all AlxGa1-xN epilayers, and the energy gap as well. Given the type of intermediate layer, a correlation trend was found between energy band-gap bowing parameter and lattice mismatch, the higher the lattice mismatch is, the smaller the bowing parameter (b) will be.
会议名称: International Materials Research Conference
会议文集: MATERIALS RESEARCH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Zhao, L;Lu, ZX;Cheng, CJ;Zhao, DG;Zhu, JJ;Sun, BJ;Qu, B;Zhang, XF;Sun, WG.Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films .见:TRANS TECH PUBLICATIONS LTD .MATERIALS RESEARCH,LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH, SWITZERLAND ,2009,PTS 1 AND 2,610-613,: 598-603 Part 1-2
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