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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
作者: Yin, HB;  Wang, XL;  Hu, GX;  Ran, JX;  Xiao, HL;  Li, JM
出版日期: 2008
会议日期: OCT 20-23, 2008
摘要: A detailed reaction-tran sport model was studied in a showerhead reactor for metal organic chemical vapor deposition of GaN film by using computational fluid dynamics simulation. It was found that flat flow lines without swirl are crucial to improve the uniformity of the film growth, and thin temperature gradient above the suscptor can increase the film deposition rate. By above-mentioned research, we can employ higher h (the distance from the susceptor to the inlet), P (operational pressure) and the rate of susceptor rotation to improve the film growth.
会议名称: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
会议文集: 2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Yin, HB;Wang, XL;Hu, GX;Ran, JX;Xiao, HL;Li, JM.Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor .见:IEEE .2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2008,VOLS 1-4: 710-713
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