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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors
作者: Wang Y;  Han WH;  Yang X;  Chen JJ;  Yang FH
出版日期: 2008
会议日期: OCT 20-23, 2008
摘要: The traditional monostable-bistable transition logic element (MOBILE) structure is usually composed of resonant tunneling diodes (RTD). This letter describes a new type MOBILE structure consisting of single-electron transistors (i.e. SET-MOBILE). The analytical model of single-electron transistors ( SET) has been considered three states (including an excited state) of the discrete quantum energy levels. The simulation results show negative differential conductance (NDC) characteristics in I-DS-V-DS curve. The SET-MOBILE utilizing NDC characteristics can successfully realize the basic logic functions as the RTD-MOBILE.
会议名称: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
KOS主题词: Heraldry
会议文集: 2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Wang, Y;Han, WH;Yang, X;Chen, JJ;Yang, FH.Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors .见:IEEE .2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2008,VOLS 1-4: 393-395
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