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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
作者: Wang, LS;  Zhao, LJ;  Pan, JQ;  Zhang, W;  Wang, H;  Liang, S;  Zhu, HL;  Wang, W
出版日期: 2008
会议日期: DEC 08-11, 2008
摘要: A new ECTT-DHPT with InGaAsP(lambda=1.55 mu m) as base and InGaAsP(lambda=1.3 mu m) as collector as well as waveguide was designed and fabricated, the DC characteristics reveal that the ECTT-DRPT can perform good optoelectronic mix operation and linear amplification operation by optically biased at two appropriate value respectively. Responsivity of more than 52A/W and dark current of 70nA (when V-ce=1V) were obtained.
会议名称: IEEE PhotonicsGlobal at Singapore
KOS主题词: waveguide;  FREQUENCY;  Bipolar transistors
会议文集: 2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Wang, LS;Zhao, LJ;Pan, JQ;Zhang, W;Wang, H;Liang, S;Zhu, HL;Wang, W.A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics .见:IEEE .2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC),345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2008,VOLS 1 AND 2: 671-673
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