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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J
作者: Hu HY;  Lu L;  Du W;  Liu HW;  Kan Q;  Wang CX;  Xu XS;  Chen HD
出版日期: 2008
会议日期: NOV 12-14, 2007
摘要: For enhancing the output efficiency of GaN light-emitting diode(LED), we calculated the band structure of photonic crystal(PhC), and designed and fabricated several novel GaN LEDs with photonic crystal on Indium-Tin-Oxide(ITO), which as p-type transparent contact of GaN LED. In this fabricating process, we developed conventional techniques in order that these methods can be easily applied to industrial volume-production. And we have done some preliminary experiments and obtained some results.
会议名称: Conference on Solid State Lighting and Solar Energy Technologies
会议文集: SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Hu, HY ; Lu, L ; Du, W ; Liu, HW ; Kan, Q ; Wang, CX ; Xu, XS ; Chen, HD .Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2008,6841: J8410-J8410
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