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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
作者: Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM
出版日期: 2008
会议日期: SEP 25-28, 2007
摘要: The linear electro-optic (Pockels) effect of wurtzite gallium nitride (GaN) films and six-period GaN/AlxGa1-xN superlattices with different quantum structures were demonstrated by a polarization-maintaining fiber-optical Mach-Zehnder interferometer system with an incident light wavelength of 1.55 mu m. The samples were prepared on (0001) sapphire substrate by low-temperature metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The measured coefficients of the GaN/AlxGa1-xN superlattices are much larger than those of bulk material. Taking advantage of the strong field localization due to resonances, GaN/AlxGa1-xN SL can be proposed to engineer the nonlinear responses.
会议名称: 6th International Conference on Thin Film Physics and Applications
KOS主题词: Refraction, Double
会议文集: THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Chen, P ; Lib, SP ; Tu, XG ; Zuo, YH ; Zhao, L ; Chen, SW ; Li, JC ; Lin, W ; Chen, HY ; Liu, DY ; Kang, JY ; Yu, YD ; Yu, JZ ; Wang, QM .Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2008,6984: G9841-G9841
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